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10月28日，SK海力士表示，公司将快速提高第六代10纳米级（1c）工艺的比重，并增加DDR5和面向AI服务器的LPDDR5 SOCAMM的销售，进一步强化DRAM以高附加值产品为中心的产品组合。

为应对激增的HBM需求，公司计划年底前将M15X工厂的产能提升至最大水平，以扩大HBM4生产。据此，公司预计第四季度HBM4将在出货量和营业收入方面均超越HBM3E，确立其主力产品地位。

在NAND闪存方面，公司计划第四季度将321层工艺的比重提升至韩国本土产能的50%以上，以此增加高性能、大容量eSSD的供应。中长期来看，公司计划以高带宽闪存和系统优化技术为基础，将NAND闪存打造为提升AI服务吞吐量与经济性的核心解决方案。